기술 :
MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
400V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
790 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
365pF @ 50V
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63