ON Semiconductor - FGL35N120FTDTU

KEY Part #: K6422802

FGL35N120FTDTU 가격 (USD) [9132PC 주식]

  • 1 pcs$4.40700
  • 10 pcs$3.97952
  • 100 pcs$3.29467
  • 500 pcs$2.86896

부품 번호:
FGL35N120FTDTU
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
IGBT 1200V 70A 368W TO264.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - SCR and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGL35N120FTDTU 제품 속성

부품 번호 : FGL35N120FTDTU
제조사 : ON Semiconductor
기술 : IGBT 1200V 70A 368W TO264
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 70A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 105A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 35A
전력 - 최대 : 368W
스위칭 에너지 : 2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 210nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 34ns/172ns
시험 조건 : 600V, 35A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : 337ns
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-264-3, TO-264AA
공급 업체 장치 패키지 : TO-264-3