ON Semiconductor - FCU4300N80Z

KEY Part #: K6401490

FCU4300N80Z 가격 (USD) [161479PC 주식]

  • 1 pcs$0.23020
  • 1,800 pcs$0.22905

부품 번호:
FCU4300N80Z
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR - 모듈, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor FCU4300N80Z electronic components. FCU4300N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCU4300N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCU4300N80Z 제품 속성

부품 번호 : FCU4300N80Z
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
시리즈 : SuperFET® II
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 1.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 160µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 8.8nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 355pF @ 100V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 27.8W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : I-PAK
패키지 / 케이스 : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다