기술 :
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.25 Ohm @ 1.8A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
260pF @ 30V
전력 발산 (최대) :
2W (Ta), 28W (Tc)