Vishay Siliconix - SUM90220E-GE3

KEY Part #: K6418290

SUM90220E-GE3 가격 (USD) [57984PC 주식]

  • 1 pcs$1.31769
  • 10 pcs$1.19121
  • 100 pcs$0.90803
  • 500 pcs$0.70625
  • 1,000 pcs$0.58518

부품 번호:
SUM90220E-GE3
제조사:
Vishay Siliconix
상세 설명:
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
We specialize in Vishay Siliconix SUM90220E-GE3 electronic components. SUM90220E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUM90220E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM90220E-GE3 제품 속성

부품 번호 : SUM90220E-GE3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
시리즈 : ThunderFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 21.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1950pF @ 100V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 230W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • TK7A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • IPA65R280C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220.

  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.