제조사 :
Taiwan Semiconductor Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
800V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.1V @ 12A
속도 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
1µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F :
78pF @ 4V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
DO-214AB, SMC
공급 업체 장치 패키지 :
DO-214AB (SMC)
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C