제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
구성 :
Full Bridge Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)