Microsemi Corporation - APTGT75H60T2G

KEY Part #: K6533003

APTGT75H60T2G 가격 (USD) [2112PC 주식]

  • 1 pcs$20.95149
  • 100 pcs$20.84725

부품 번호:
APTGT75H60T2G
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT75H60T2G 제품 속성

부품 번호 : APTGT75H60T2G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
구성 : Full Bridge Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100A
전력 - 최대 : 250W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 4.62nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : SP2
공급 업체 장치 패키지 : SP2