제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
구성 :
Triple, Dual - Common Source
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
5.34nF @ 25V