기술 :
IC GATE DRIVER HI SPEED 8-SOIC
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
250mA, 500mA
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
600V
상승 / 하강 시간 (일반) :
70ns, 30ns
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)