SSM6P15FE(TE85L,F) 가격 (USD) [1060332PC 주식]
- 1 pcs$0.03488
- 부품 번호:
- SSM6P15FE(TE85L,F)
- 상세 설명:
- MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE(TE85L,F) electronic components. SSM6P15FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6P15FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6P15FE(TE85L,F) 제품 속성
부품 번호 :
SSM6P15FE(TE85L,F)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
12 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.7V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
9.1pF @ 3V
전력 - 최대 :
150mW
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 :
ES6 (1.6x1.6)
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- AUIRF7103Q
- GMM3X180-004X2-SMD
- AON7804_102
- KGF6N05D-400
- AON6978
- AOC4810
- SIZ790DT-T1-GE3
- NTMD6601NR2G
- SI7501DN-T1-E3
- EFC6617R-TF
- SI3981DV-T1-E3
- IRF7103Q
- AO4914L
- AO4803AL
- EFC4627R-A-TR
- SI5943DU-T1-GE3
- SI4814BDY-T1-E3
- IRF6723M2DTRPBF
- SIB914DK-T1-GE3
- DMN5L06V-7
- AO7600
- SI7958DP-T1-E3
- SI5513DC-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NTHD3100CT1
- ZXMN6A11DN8TC
- SP8J4TB
- NTMD6N03R2
- IRF7389TR
- BSG0811NDATMA1
- BSG0813NDIATMA1
- HUFA76407DK8T-F085
- QS8J5TR
- SP8K31TB1
- SQS966ENW-T1_GE3
- BUK7K89-100EX
- SI4214DDY-T1-E3
- BUK7K134-100EX
- QH8KA1TCR
- SI1539CDL-T1-GE3