기술 :
MOSFET P-CHANNEL 20V 6A 6-CPH
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
860pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6