ON Semiconductor - FQI5N40TU

KEY Part #: K6410711

[14042PC 주식]


    부품 번호:
    FQI5N40TU
    제조사:
    ON Semiconductor
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - RF, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - SCR and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in ON Semiconductor FQI5N40TU electronic components. FQI5N40TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI5N40TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI5N40TU 제품 속성

    부품 번호 : FQI5N40TU
    제조사 : ON Semiconductor
    기술 : MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK
    시리즈 : QFET®
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 400V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 4.5A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2.25A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (최대) : ±30V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 460pF @ 25V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 3.13W (Ta), 70W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Through Hole
    공급 업체 장치 패키지 : I2PAK (TO-262)
    패키지 / 케이스 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • ZVN3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • HUFA76619D3ST

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 18A DPAK.

    • HUFA76619D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 18A DPAK.

    • HUFA76419D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 20A DPAK.

    • HUF76423D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 20A DPAK.

    • HUF75617D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.