Toshiba Semiconductor and Storage - TJ10S04M3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6420399

TJ10S04M3L(T6L1,NQ 가격 (USD) [190859PC 주식]

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부품 번호:
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ10S04M3L(T6L1,NQ 제품 속성

부품 번호 : TJ10S04M3L(T6L1,NQ
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
시리즈 : U-MOSVI
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (최대) : +10V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 930pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 27W (Tc)
작동 온도 : 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : DPAK+
패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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