기술 :
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
475pF @ 15V
공급 업체 장치 패키지 :
TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6