기술 :
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
24A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 22A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.6V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
15.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2170pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-VSONP (5x6)