Microchip Technology - DN3135K1-G

KEY Part #: K6417365

DN3135K1-G 가격 (USD) [231626PC 주식]

  • 1 pcs$0.16360
  • 3,000 pcs$0.16279

부품 번호:
DN3135K1-G
제조사:
Microchip Technology
상세 설명:
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 브리지 정류기 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
경쟁 우위:
We specialize in Microchip Technology DN3135K1-G electronic components. DN3135K1-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN3135K1-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN3135K1-G 제품 속성

부품 번호 : DN3135K1-G
제조사 : Microchip Technology
기술 : MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 350V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 72mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 35 Ohm @ 150mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 120pF @ 25V
FET 특징 : Depletion Mode
전력 발산 (최대) : 360mW (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.