Infineon Technologies - 6MS20017E43W37032NOSA1

KEY Part #: K6532496

6MS20017E43W37032NOSA1 가격 (USD) [2PC 주식]

  • 1 pcs$11026.53616

부품 번호:
6MS20017E43W37032NOSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
IGBT MODULE 690V 1200A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS20017E43W37032NOSA1 제품 속성

부품 번호 : 6MS20017E43W37032NOSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : IGBT MODULE 690V 1200A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : -
구성 : Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1700V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : -
전력 - 최대 : -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : -
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : -
입력 : Standard
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : -25°C ~ 55°C
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : Module

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