기술 :
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
부품 상태 :
Not For New Designs
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.6V @ 300µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
42nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
760pF @ 400V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
3-PQFN (8x8)