기술 :
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
시리즈 :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
150V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
53A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
8600pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
ISOPLUS i4-PAC™