기술 :
MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
740nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
73000pF @ 25V
공급 업체 장치 패키지 :
PLUS247™-3