기술 :
MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
35V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.5A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
17.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
960pF @ 20V
전력 발산 (최대) :
1W (Ta), 15W (Tc)
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63