GeneSiC Semiconductor - 1N3881

KEY Part #: K6442940

1N3881 가격 (USD) [12354PC 주식]

  • 1 pcs$2.64420
  • 10 pcs$2.36039
  • 25 pcs$2.12417
  • 100 pcs$1.93533
  • 250 pcs$1.74653
  • 500 pcs$1.56716
  • 1,000 pcs$1.32170

부품 번호:
1N3881
제조사:
GeneSiC Semiconductor
상세 설명:
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4. Rectifiers 200V 6A Fast Recovery
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3881 electronic components. 1N3881 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3881, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3881 제품 속성

부품 번호 : 1N3881
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 6A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.4V @ 6A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 200ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 15µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스 : DO-203AA, DO-4, Stud
공급 업체 장치 패키지 : DO-4
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 150°C
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.