ON Semiconductor - NVF5P03T3G

KEY Part #: K6393714

NVF5P03T3G 가격 (USD) [269210PC 주식]

  • 1 pcs$0.13739
  • 4,000 pcs$0.12490

부품 번호:
NVF5P03T3G
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor NVF5P03T3G electronic components. NVF5P03T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVF5P03T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVF5P03T3G 제품 속성

부품 번호 : NVF5P03T3G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 950pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 1.56W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-223
패키지 / 케이스 : TO-261-4, TO-261AA

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.

  • IRFI820G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.