NSBA123TDP6T5G 가격 (USD) [957720PC 주식]
- 1 pcs$0.03881
- 8,000 pcs$0.03862
- 부품 번호:
- NSBA123TDP6T5G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor NSBA123TDP6T5G electronic components. NSBA123TDP6T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSBA123TDP6T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSBA123TDP6T5G 제품 속성
부품 번호 :
NSBA123TDP6T5G
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
트랜지스터 유형 :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 -베이스 (R1) :
2.2 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
160 @ 5mA, 10V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
500nA
빈도 - 전환 :
-
전력 - 최대 :
408mW
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-963
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-963
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