부품 번호 :
IGT60R190D1SATMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
12.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.6V @ 960µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
157pF @ 400V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
PG-HSOF-8-3