제조사 :
Microchip Technology
FET 유형 :
2 N-Channel (Cascoded)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.6V @ 10µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
50pF @ 25V
작동 온도 :
-25°C ~ 125°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
6-LFGA (3x3)