기술 :
GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 600µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.91nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
90pF @ 50V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)