기술 :
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
전력 발산 (최대) :
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363