기술 :
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
8.4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
400pF @ 25V
전력 발산 (최대) :
2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA