기술 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
340mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
50pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666