SI9926CDY-T1-GE3 가격 (USD) [226109PC 주식]
- 1 pcs$0.16358
- 2,500 pcs$0.14319
- 부품 번호:
- SI9926CDY-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 전원 드라이버 모듈 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SI9926CDY-T1-GE3 electronic components. SI9926CDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI9926CDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI9926CDY-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SI9926CDY-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1200pF @ 10V
전력 - 최대 :
3.1W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SO
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- FF8MR12W2M1B11BOMA1
- VMM650-01F
- FS45MR12W1M1B11BOMA1
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- APTC80DSK15T3G
- EMH2308-TL-H
- NVMFD5853NWFT1G
- FDD8424H-F085A
- VQ1001P
- SI7270DP-T1-GE3
- AON6971
- AON7932
- APTJC120AM13VCT1AG
- ECH8664R-TL-H
- SI6967DQ-T1-E3
- SI4940DY-T1-E3
- SI4569DY-T1-GE3
- SI4992EY-T1-GE3
- IPG15N06S3L-45
- BSD235N L6327
- GWM220-004P3-SMD
- SI7948DP-T1-GE3
- IRF7103QTRPBF
- APTM20DUM10TG
- FDZ2553NZ
- FDW2511NZ
- FDS8934A
- IRF7757TR
- IRF7331
- IRF7379TR
- PHN210T,118
- BSG0810NDIATMA1
- SQJ204EP-T1_GE3
- BSC072N03LDGATMA1
- IPG20N04S4L08AATMA1
- SH8K15TB1
- SQJB68EP-T1_GE3
- QS8J1TR
- SSM6L16FETE85LF
- SSM6N35FE,LM