기술 :
MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP
부품 상태 :
Not For New Designs
FET 유형 :
5 N-Channel, Common Source
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
320pF @ 10V
공급 업체 장치 패키지 :
12-SIP w/fin