Infineon Technologies - IRLZ24NSTRLPBF

KEY Part #: K6399296

IRLZ24NSTRLPBF 가격 (USD) [115972PC 주식]

  • 1 pcs$0.31893
  • 800 pcs$0.27732

부품 번호:
IRLZ24NSTRLPBF
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 전원 드라이버 모듈 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies IRLZ24NSTRLPBF electronic components. IRLZ24NSTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLZ24NSTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLZ24NSTRLPBF 제품 속성

부품 번호 : IRLZ24NSTRLPBF
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
시리즈 : HEXFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (최대) : ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 480pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 3.8W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : D2PAK
패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다