Vishay Siliconix - SI3493BDV-T1-E3

KEY Part #: K6416233

SI3493BDV-T1-E3 가격 (USD) [287068PC 주식]

  • 1 pcs$0.12885
  • 3,000 pcs$0.10913

부품 번호:
SI3493BDV-T1-E3
제조사:
Vishay Siliconix
상세 설명:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기 and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3493BDV-T1-E3 제품 속성

부품 번호 : SI3493BDV-T1-E3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
시리즈 : TrenchFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 900mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 43.5nC @ 5V
Vgs (최대) : ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1805pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 6-TSOP
패키지 / 케이스 : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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