NXP USA Inc. - PMFPB6532UP,115

KEY Part #: K6415263

[12470PC 주식]


    부품 번호:
    PMFPB6532UP,115
    제조사:
    NXP USA Inc.
    상세 설명:
    MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115 electronic components. PMFPB6532UP,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMFPB6532UP,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMFPB6532UP,115 제품 속성

    부품 번호 : PMFPB6532UP,115
    제조사 : NXP USA Inc.
    기술 : MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : P-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 3.5A (Ta)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
    Vgs (최대) : ±8V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 380pF @ 10V
    FET 특징 : Schottky Diode (Isolated)
    전력 발산 (최대) : 520mW (Ta), 8.3W (Tc)
    작동 온도 : 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : DFN2020-6
    패키지 / 케이스 : 6-UDFN Exposed Pad

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • SI3404-TP

      Micro Commercial Co

      MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN23UN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN34UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP.

    • PMN25EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP.