ON Semiconductor - ATP401-TL-H

KEY Part #: K6418467

ATP401-TL-H 가격 (USD) [64117PC 주식]

  • 1 pcs$0.61288
  • 3,000 pcs$0.60983

부품 번호:
ATP401-TL-H
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor ATP401-TL-H electronic components. ATP401-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ATP401-TL-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ATP401-TL-H 제품 속성

부품 번호 : ATP401-TL-H
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
시리즈 : -
부품 상태 : Last Time Buy
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 17000pF @ 20V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 90W (Tc)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : ATPAK
패키지 / 케이스 : ATPAK (2 leads+tab)

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.