EPC - EPC2100ENGRT

KEY Part #: K6523298

EPC2100ENGRT 가격 (USD) [19847PC 주식]

1 pcs$2.29566
500 pcs$2.28424

부품 번호:: EPC2100ENGRT

제조사:: EPC

상세 설명:: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE.

제조업체의 표준 리드 타임:: 재고

수명:: 일년

칩 출처:: 홍콩

RoHS:

결제 방법:

배송 방법:

가족 카테고리:: KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...

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GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2100ENGRT 제품 속성

부품 번호 : EPC2100ENGRT

제조사 : EPC

기술 : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

시리즈 : eGaN®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET 특징 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

전력 - 최대 : -

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : Die

공급 업체 장치 패키지 : Die

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