Rohm Semiconductor - R6011ENX

KEY Part #: K6398161

R6011ENX 가격 (USD) [31701PC 주식]

  • 1 pcs$1.42787
  • 10 pcs$1.28949
  • 100 pcs$0.98308
  • 500 pcs$0.76460
  • 1,000 pcs$0.63353

부품 번호:
R6011ENX
제조사:
Rohm Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
We specialize in Rohm Semiconductor R6011ENX electronic components. R6011ENX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6011ENX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6011ENX 제품 속성

부품 번호 : R6011ENX
제조사 : Rohm Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 600V 11A TO220
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 670pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 40W (Tc)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-220FM
패키지 / 케이스 : TO-220-3 Full Pack

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.