[2636PC 주식]
- 부품 번호:
- GP1M003A090C
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M003A090C electronic components. GP1M003A090C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M003A090C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M003A090C 제품 속성
부품 번호 :
GP1M003A090C
제조사 :
Global Power Technologies Group
기술 :
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
748pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
94W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
D-Pak
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- IXFM10N90
- AOT416L_001
- AON4407L
- SPI12N50C3HKSA1
- GP1M012A060H
- NVD4809NT4G
- UPA2735GR-E1-AT
- BSB017N03LX3 G
- IPD053N06N3GBTMA1
- IRFH5104TRPBF
- BSS308PEL6327HTSA1
- FDD6770A
- IRF7703TRPBF
- AOL1428
- IXFH13N100
- HAT2267H-EL-E
- HUF76645P3
- HUF75842S3S
- FQPF3N80CYDTU
- ZVP2110ASTOA
- GP2M002A060CG
- MTD6P10E
- SPB80N06S2-07
- IRFR9014NTRR
- IRFPC50LC
- IRL640
- IRFB9N65A
- IRFZ14
- STB5N52K3
- IPP100N12S305AKSA1
- AOV11S60
- IPS70R360P7SAKMA1
- NVMFS5C426NWFAFT3G
- BUK7Y2R0-40HX
- TK8A50D(STA4,Q,M)
- RCD050N20TL
- IPD50P04P413ATMA1
- IPD30N06S223ATMA2
- IRFR024NTRLPBF
- NX7002BKVL