기술 :
PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
108A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
128nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
7.11nF @ 10V
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB