[8625PC 주식]
- 부품 번호:
- IPI80CN10N G
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IPI80CN10N G electronic components. IPI80CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI80CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI80CN10N G 제품 속성
부품 번호 :
IPI80CN10N G
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
시리즈 :
OptiMOS™
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 12µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
716pF @ 50V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
31W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO262-3
패키지 / 케이스 :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- DMP2036UVT-13
- JANSR2N7381
- SSM3K01T(TE85L,F)
- IRFH5220TRPBF
- AOL1428A
- NP80N04KHE-E1-AY
- 2SK4087LS
- NDF11N50ZG
- BSF053N03LT G
- NILMS4501NR2G
- IRF1503STRRPBF
- SI5480DU-T1-E3
- FDM100-0045SP
- HAT2175H-EL-E
- ZVN4310ASTZ
- ZVN2106ASTOB
- FDS7060N7
- NTHS5402T1
- STD5407NT4G
- SI4438DY-T1-GE3
- IRF7425PBF
- IRL3714STRL
- IRF7426TR
- NTP30N06LG
- IXFR12N100
- IRFZ14STRR
- SI4410DY,518
- BUK953R2-40B,127
- STW36NM60N
- AUIRFSA8409-7TRL
- IXTA110N055P
- HAT2279H-EL-E
- IRFR1205TRPBF
- SIPC07N50C3X1SA1
- RCD100N19TL
- RSH070N05GZETB
- XP161A1265PR
- SI1469DH-T1-GE3
- RTL020P02TR
- PMV280ENEAR