FET 유형 :
N and P-Channel, Common Drain
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
54A (Tc), 62A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
197nC @ 10V, 104nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
ISOPLUSi5-Pak™
공급 업체 장치 패키지 :
ISOPLUS i4-PAC™