STMicroelectronics - STP410N4F7AG

KEY Part #: K6396948

STP410N4F7AG 가격 (USD) [43376PC 주식]

  • 1 pcs$0.90593
  • 1,000 pcs$0.90142

부품 번호:
STP410N4F7AG
제조사:
STMicroelectronics
상세 설명:
MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP410N4F7AG 제품 속성

부품 번호 : STP410N4F7AG
제조사 : STMicroelectronics
기술 : MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
시리즈 : STripFET™ F7
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 365W (Tc)
작동 온도 : -
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-220
패키지 / 케이스 : TO-220-3

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