기술 :
4V DRIVE NCHPCH MOSFET
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
230pF @ 10V, 490pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)