기술 :
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
390pF @ 25V
전력 발산 (최대) :
2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA