기술 :
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
550pF @ 10V
FET 특징 :
Schottky Diode (Isolated)
전력 발산 (최대) :
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
6-HUSON-EP (2x2)
패키지 / 케이스 :
6-UDFN Exposed Pad