APT40SM120S 가격 (USD) [2607PC 주식]
- 1 pcs$13.88047
- 10 pcs$12.83851
- 25 pcs$11.79729
- 100 pcs$10.96460
- 부품 번호:
- APT40SM120S
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 단일 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation APT40SM120S electronic components. APT40SM120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT40SM120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT40SM120S 제품 속성
부품 번호 :
APT40SM120S
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 1mA (Typ)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
130nC @ 20V
Vgs (최대) :
+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2560pF @ 1000V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
273W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
D3Pak
패키지 / 케이스 :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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