기술 :
MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
공급 업체 장치 패키지 :
4-WLCSP (2x2)
패키지 / 케이스 :
4-XFBGA, WLCSP