Vishay Siliconix - SI1422DH-T1-GE3

KEY Part #: K6416316

SI1422DH-T1-GE3 가격 (USD) [12106PC 주식]

  • 3,000 pcs$0.06743

부품 번호:
SI1422DH-T1-GE3
제조사:
Vishay Siliconix
상세 설명:
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 다이오드 - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1422DH-T1-GE3 제품 속성

부품 번호 : SI1422DH-T1-GE3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
시리즈 : TrenchFET®
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 20nC @ 8V
Vgs (최대) : ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 725pF @ 6V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SC-70-6 (SOT-363)
패키지 / 케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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