기술 :
GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
48A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 7mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
8.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
950pF @ 100V
작동 온도 :
-40°C ~ 140°C (TJ)